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BSZ042N04NS G詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：40A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.2 毫歐 @ 20A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 36µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：46nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3700pF @ 20V; 功率_最大：69W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-PowerVDFN; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）; 包裝：剪切帶 (CT)

BSZ042N04NS G詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：40A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.2 毫歐 @ 20A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 36µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：46nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3700pF @ 20V; 功率_最大：69W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-PowerVDFN; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）; 包裝：Digi-Reel®

BSZ042N04NS G詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：40A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.2 毫歐 @ 20A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 36µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：46nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3700pF @ 20V; 功率_最大：69W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-PowerVDFN; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）; 包裝：帶卷 (TR)

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FET - 單 Infineon Technologies 8-PowerVDFN MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8
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鐵氧體磁珠和芯片 Murata Electronics North America 1206（3216 公制），陣列，8 PC 板 FERRITE ARRAY 600 OHM 100MA SMD
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電池，非充電式（原電池） Panasonic - BSG 1206（3216 公制），陣列，8 PC 板 BATT LITH COIN 3V HITEMP PC PINS
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芯片電阻 - 表面安裝 CTS Resistor Products 2512 J 形引線 RES .010 OHM 2W 1% 2514
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保險(xiǎn)絲座 Cooper Bussmann 2512 J 形引線 FUSE CLIP FOR 1/4" DIAM BECU
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電容器 EPCOS Inc AL-ELKO SCREW TERM 33000UF 63V
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